第331章 流片成功！ (第2/3页)
显影。
硅片上的线条清晰锐利，边缘笔直。
刻蚀环节，BOE槽液控温稳定在三十五度。
第一批硅片过检，沟槽完美。
陈默回头冲林希竖了个大拇指。
直到离子注入。
长安771所支援的国产离子注入机是十年前的老型号。
苏佩兰和王铁山两个老师傅在机器旁边守了一天一夜，反复调整参数。
打出来的硅片，送到显微镜下一看。
掺杂深度分布不均匀。
有的区域深了，有的区域浅了。
像一块没发好的面，有些地方鼓着，有些地方瘪着。
直接后果：芯片漏电。
测试探针扎下去，电流一路跑偏，根本锁不住。
苏佩兰试了七组参数，全部失败。
“机器太老了。”
她摘下防尘面罩，额头上全是汗。
“束流不稳，真空也拉不到位。”
车间里的气氛沉下去了。
光刻过了，刻蚀过了，偏偏倒在了最基础的掺杂上。
林希站在注入机旁边，手扶着冰凉的金属外壳。
他闭上眼睛。
脑海中，直播间的弹幕已经开始翻涌。
【离子注入！关键参数来了！！！】
【我查了771所这批机器的资料——核心问题是束流电流太低导致注入时间过长，硅片在真空腔里受热不均匀！】
【解法很简单但很反直觉——把束流电流提上去！10mA！加速电压拉到50keV！让注入时间缩短，减少热积累！】
【最关键的一步：真空度！必须拉到10的负5次方帕斯卡！不然残余气体会和离子束发生散射，杂质分布肯定不均匀！】
【对！这台老机器的分子泵其实能达到这个真空度，但出厂预设太保守了，得手动调旁通阀把抽速拉满！】
林希睁开眼。
“苏师傅。”
苏佩兰回头。
“束流电流调到10毫安。”
“加速电压拉到50千电子伏特。”
苏佩兰愣了一下。
“电流10毫安？”
“这台机器设计上限才8……”
“旁通阀全开，把真空度拉到10的负5次方帕。”
林希的声音很稳，
“抽速够了以后，束流不会散。”
苏佩兰看了看旁边的王铁山。
王铁山沉默了几秒，走到机器后面。
蹲下去看了看分子泵的参数铭牌。
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